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BSS138N L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：230mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 欧姆 @ 230mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：剪切带 (CT)

BSS138N L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：230mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 欧姆 @ 230mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：Digi-Reel®

BSS138N L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：230mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 欧姆 @ 230mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

C2012X7R1C105M/0.85
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 16V 20% X7R 0805
74LVC1G32SE-7
逻辑 - 栅极和逆变器 Diodes Inc 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC GATE OR SNGL 2INPUT SOT353
C0603C910F1GALTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 91PF 100V 1% NP0 0603
C0805C120J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 12PF 100V 5% NP0 0805
C0603C393K3RALTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.039UF 25V 10% X7R 0603
BQ24160YFFR
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 49-UFBGA，DSBGA IC BATT CHRG MGMT LI-ION 49DSBGA
BK1608HW121-T
铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） FERRITE BEAD 120 OHM 0603
C2012X7R1C105M/1.25
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 16V 20% X7R 0805
C0603C910J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 91PF 50V 5% NP0 0603
C0805C120J1GALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 12PF 100V 5% NP0 0805
C0603C393K4RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.039UF 16V 10% X7R 0603
BQ24161YFFR
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 49-UFBGA，DSBGA IC BATT CHRG MGMT LI-ION 49DSBGA
C2012X7R1C155M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1.5UF 16V 20% X7R 0805
BK1608HW431-T
铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） FERRITE BEAD 430 OHM 0603
C0603C911J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 910PF 50V 5% NP0 0603

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